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"使用硅点接触二极管的微波混频器迄今已有三十年以上的历史。由千此种器件是利用金属触须和半导体材料的点接触造成势垒而得到非直线性，接触的不可靠使工作稳定性差，容易烧毁，噪声系数也 比较高，一般在十儿个dB以上。近年来，由于晶体管平面工艺以及 金属硅化物和耐熔金属接触工艺的发展，一种以金属一 半导体平面接触为基础的新型器件表面势垒二极管（或称肖特基势垒二极管）迅速发展起来，并投入了实际使用。相对于
点接触二极管，它的金属一半导体间可以保持较为稳定的面接触，故参量稳定可靠。在工艺过程中，对参量也比较容易控制，抗烧毁能力也强于点接触二极管。特别是由于材料和工艺的不断完善，目前在L 和S 波段，由表面势垒二极管制成的混频器 噪声温度比巳大 幅 度 降低，能达到 ( 4—5 ) dB, 在X波段，能达到6dB, 足以和微波参量放大器 以及低噪声微波晶体管放大器相比较。因此，在接收机中，即使不加低噪声高频放大器，在前级使用表面势垒二极管混频器，也能使整机的灵敏度提高。"
"目前由于微波集成电路的发展，表面势垒二极管往往和微带电路结合起来构成微带混频器（或微波集成混频器）。此时表面势垒二极管做成微带封装形式，整个混频器的体积和重量比原来的波导和同轴线形式大大 减小（见章图1一2 ) 。如果相应地将本地振荡器也做成微带电路形式，中放和前置中放均采取集成化，并将其和高频部分放在一个机柜中，则不仅实现了微波接收机的小型化、集成化，在性能上也有很大的改善。
本章首先介绍表面势垒二极管的原理、电特性及诸工作参量，然后讨论混频器的基本工作原理，最后结合实例，介绍微带混频器的设计、计算及其具体结构。"
耦合器 单定向双耦合器 90度��桥 180度电桥 晶体振荡器
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